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电工电子教学中心

黄玲琴教授

发布者:陈念念发布时间:2023-07-25浏览次数:4490


个人简介:中共党员,2013年毕业于大连理工大学微电子学与固体电子学专业,获工学博士学位,美国宾夕法尼亚州立大学访问学者,江苏省“青蓝工程”优秀青年骨干教师,硕士研究生导师。

联系方式:lqhuang@jsnu.edu.cn

研究领域:碳化硅电力电子器件基础;深度学习在电力电子领域的应用;系统工程、优化算法

教学科研项目:

1.国家自然科学基金面上项目:“SiC功率器件低温金属接触研究:界面缺陷等离子体钝化及势垒纳米调控,62074071”,在研,主持;

2.国家自然科学基金青年基金:“金属/p型SiC欧姆接触研究:势垒分布规律及其影响,61604063”,已结题,主持;

3.国家自然科学基金应急管理项目:“金属/n-SiC接触的电流输运及势垒特性研究,11547136”,已结题,主持;

4.江苏省自然科学基金青年基金:“金属/SiC接触的势垒形成分布规律及电流输运性质研究,BK20150225”,已结题,主持;

5. 江苏省高校基金面上项目:“金属/SiC接触的势垒不均匀分布研究,15KJB510010”,已结题,主持;

6. 徐州市科技计划项目:“新型碳化硅功率器件高效节能关键技术基础,KC21008”,在研,主持;

7. 江苏师范大学“十三五”第二批本科生课程建设项目 “Analog Electronics”(JYKC201814),已结题,主持;

8. 江苏省精品课程“Digital Fundamentals” ,已完成,主讲;

9. “十三五” 第一批本科生教育教学研究课题“电子信息类研究型教学方法研究” (JYKTY201711),已结题,主持。

教学科研成果:

1. 近三年论文成果

 (1) 邓旭良......黄玲琴*等,石墨烯过渡层对金属/SiC 接触肖特基势垒调控的第一性原理研究,物理学报. Acta Physica Sinica. 71, 058102 (2022) (SCI)

(2) LingqinHuang*, etal., Barrier properties and current conduction mechanism for metal contacts tolightly and highly doped p-type 4H-SiC, Japanese Journal of Applied Physics, 61,014003  (2022). (SCI)

(3)  黄玲琴*等,碳化硅电力电子器件金属接触研究现状及进展,物理学报. Acta Physica Sinica.  70, 207302 (2021). (SCI)

(4)  Lingqin Huang*, et al., Modulating Schottkybarrier of metal/p-type 4H-SiC by thin insulator TiO2 layerintercalation Journal of Applied Physics. 127, 2020, 225301. (SCI)

(5) LingqinHuang, et al., A barrier model for metal-SiC contact system. Superlattices andMicrostructures. 140, 2020, 106475. (SCI))

(6) LingqinHuang*, etal., A critical review of theory and progress in Ohmic contacts to p-type SiC,Journal of Crystal Growth. 531, 2020, 125353. (SCI)

(7) LingqinHuang*, etal., Fermi level unpinning of metal/p-type 4H-SiC interface by two-step surfacepretreatment, Journal of Applied Physics. 125, 2019, 025301. (SCI)

(8)  Lingqin Huang*, et al., Effects ofsacrificial oxidation on surface properties of n- and p-type 4H-SiC:Implications for metal contact behavior, Semiconductor Science and Technology.34, 2019, 015011. (SCI)

 

2. 近三年专利成果

(1) 黄玲琴,陶化文,潘苏敏. 一种在SiC衬底上直接生长MoS2薄膜的方法. 专利号:CN 113594023 A,发明专利;

(2) 谷晓钢,黄玲琴. 一种XML数据的快速查询方法. 专利号:CN 107256217 B,发明专利;

(3) 谷晓钢,黄玲琴. 一种XML数据的快速查询方法. 专利号:CN 107256218 B,发明专利。

3. 近三年获奖成果

(1) 2019年获江苏师范大学第十届青年教师教学比赛优胜奖  二等奖;

 

主讲课程:《模拟电子技术基础》、《Analog Electronics》、《数字电子技术基础》、《自动化专业英语》。

 

学生培养:

1. 指导硕士研究生8人,已毕业3人,其中1人次获国家奖学金;

2. 指导本科生主持完成江苏省创新创业训练计划项目3项。



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